第四百二十三章 老师才是幸运之子 (第2/3页)
而基片在清洗检查完成後就得尽快进行入浴生成，时间如果过长，基片上就有可能落上灰尘。
生成硫化铅光电导多晶薄膜的沉积反应溶液，是由醋酸铅、硫脲，作为铅硫源。
再把强硷氢氧化钠PH值调至10—11。再加入络合剂控制析出速度，防止溶液直接沉淀结块，无法在基片表面生成多晶薄膜。
而且这个混合顺序绝对不能错，必须先把醋酸铅和络合硷性溶液进行混合。
水浴升温至32—36度，并保持温度恒定，最後才能添加硫脲。
当溶液调配完成後，就要把已经准备好的熔融石英基片，通过垂直悬挂夹具探入到溶液当中。
这些基片都是长宽10毫米，厚度一毫米的方形晶片。
基片在溶液内生成硫化铅光电导多晶薄膜的时间一般在60—90分钟。
这个时间不能太短，太短薄膜会太薄，响应效果会变差。
时间也不能太长，时间太长，生成的薄膜就会变厚，表面晶粒粗大，就容易疏松脱落。
只有在熔融石英基片表面慢慢长出来一层褐色镜面一样的多晶硫化铅薄膜，这个时候这个硫化铅光电导多晶薄膜才算是生成成功。
而最後这些晶片到底能不能合格，能不能满足使用要求，还要经过很多关口，最後才能确定。
当这批晶片完成了溶液内生成之後，就要被缓慢取出来。
然後用流动的去离子水轻缓的冲刷，冲掉晶片表面的松散浮粉颗粒，最後还要再进行低温烘乾。
不过此时获得的硫化铅光电导多晶薄膜，还没有红外光电导灵敏性，必须要进行敏化退火。
这个过程就叫做「氧敏化退火」。
这个退火工艺，就是硫化铅光电导多晶薄膜在生成之後的第一个生死关。
它的工作原理就是让薄膜表面少量受控的氧化，在这个氧化的过程当中，薄膜表面的晶界会生成微量硫酸铅缺陷。
而这个受控产生的缺陷，就是让硫化铅光电导多晶薄膜产生红外光电导效应的关键因素。
但是想要掌握这个氧化过程却是极其困难的，氧化不到位不行，那样没有红外响应。
可氧化一旦过头整炉的晶片就会彻底报废。
氧化炉中的温度、氧气浓度、氮气浓度，都要求要有精确的把握，差上毫厘，这一炉的晶片也就失败了。
陈常在看着汤定缘小心地把刚刚清洗烘乾完、已经生成了硫化铅光电导多晶薄膜层的晶片，小心地放进了氧/氮气混合炉中进行敏化退火。
然後所有人就开始了漫长的等待。
助理研究员在记录着实验过程中的每一个步骤，每一个实验的时间，就连晶片留空的时间都分毫不差的记录着，然後和之前的实验进行着对比。
而汤定缘和王大恒两人，则是严密的观察着氧化炉上所有仪表的变化，也记录着这些变化的数据。
漫长的六个小时过去了，炉温也从170°，缓慢的降了下来。
等到这些晶片终於从氧化炉中被取出来之後，这些褐色的晶片颜色已经发生了变化，变成了暗铁灰色亚光膜。
这一炉一共投入进去了100张晶片，这些晶片被取出来後，在真空蒸镀器中镀上了金电极。
在完成了这最後一道工艺之後，汤定缘和王大恒他们完全不顾疲劳，马上开始了晶片检测。
安静的实验室中，只有检测器械移动和防护服内置风机的声音，连呼吸声都被严密的防护服给封闭在了里面。
在检测的时候，王大恒和汤定缘两人频频的相互对望，那三个助理研究员，也同样边记录着，边互相看着彼此。
不过这些人在防护面罩里面的脸上，露出的却是极度不敢相信的神色。
又是两个多小时之後，这一百张晶片全都完成了检测，封装到了三个手提箱当中。
当所有人从实验室中走出来的时候，这一场前後历时16个小时的实验过程终於结束了。
这16个小时，包括陈常在在内，谁都没有合过眼，就连吃饭和方便，也是在实验间歇的时候，轮换着出去处理的。
可是现在这些人的眼中却没有丝毫的
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